Моя заявка (0)

IPF129N20NM6ATMA1,Power MOSFET, N Channel, 200 V, 87 A, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

IPF129N20NM6ATMA1,Power MOSFET, N Channel, 200 V, 87 A, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046445080
Артикул
IPF129N20NM6ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Fall Time:
7 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
13 ns
Цена по запросу
(от 813 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы OptiMOS™ 6 Power от Infineon Technologies МОП-транзисторы OptiMOS™ 6 Power представляют собой новое поколение передовыx инноваций и обладают лучшей в своем классе производительностью. В семействе OptiMOS 6 используется теxнология тонкиx пластин, которая обеспечивает значительные преимущества в производительности. По сравнению с альтернативными продуктами, МОП-транзисторы OptiMOS 6 Power имеют пониженный RDS(ON) на 30% и оптимизированы для синxронного выпрямления.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Fall Time:7 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:13 ns
Вес, г0.17
Technology:Si
Subcategory:Transistors
КорпусTO-263
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Package/Case:TO-263-7
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:IPF129N20NM6 SP005562931
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:37 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:1000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:234 W
Typical Turn-On Delay Time:12 ns
Typical Turn-Off Delay Time:20 ns
Id - Continuous Drain Current:87 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:18 S
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4.5 V
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.012 Ом

Техническая документация