Моя заявка (0)

IPF067N20NM6ATMA1,Power MOSFET, N Channel, 200 V, 138 A, 0.0062 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

IPF067N20NM6ATMA1,Power MOSFET, N Channel, 200 V, 138 A, 0.0062 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046443057
Артикул
IPF067N20NM6ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±20V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 1 720 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный 200 В 15,4 А (Ta), 138 А (Tc), 3,8 Вт (Ta), 300 Вт (Tc) для поверxностного монтажа PG-TO263-7-3

Технические параметры

FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г1
КорпусTO-263
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-263-7, D2PAK(6 Leads+Tab)
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 253µA
СтруктураN-Channel
Operating Temperature-55°C ~ 175°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.2mOhm @ 100A, 15V
Особенности-
Power Dissipation (Max)3.8W(Ta), 300W(Tc)
Supplier Device PackagePG-TO263-7-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs108 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7300 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15.4A(Ta), 138A(Tc)
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0062 Ом

Техническая документация