Моя заявка (0)
IPF039N08NF2SATMA1, MOSFETs IFX FET 60-80V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8018700671
Артикул
IPF039N08NF2SATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
1
Channel Type
N Channel
Package Type
PG-TO263-7
Mounting Type
Surface Mount
Цена по запросу
(от 275,90 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Infineon StrongIRFET 2 оптимизированы для широкого спектра применений, такиx как SMPS, электропривод, питание от батарей, управление аккумуляторами, ИБП и легкие электромобили.

Технические параметры

Вес, г1
Channel TypeN Channel
Package TypePG-TO263-7
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation150Вт
СтруктураMOSFET
Особенности-
Maximum Drain Source Voltage80 V
Drain Source On State Resistance0.0035Ом
Maximum Continuous Drain Current126 A
Линейка ПродукцииStronglRFET Series
Количество Выводов7вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока126А
Пороговое Напряжение Vgs3.8В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds80В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-263
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация