Моя заявка (0)

IPF Type N-Channel MOSFET, 227 A, 100 V P TO-263 IPF024N10NF2SATMA1

IPF Type N-Channel MOSFET, 227 A, 100 V P TO-263 IPF024N10NF2SATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8030974822
Артикул
IPF024N10NF2SATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
1
Channel Type
N
Package Type
PG-TO263-7
Корпус
TO-263
Цена по запросу
(от 1 270 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Infineon StrongIRFET 2 оптимизированы для широкого спектра применений, такиx как SMPS, электропривод, питание от батарей, управление аккумуляторами, ИБП и легкие электромобили.

Технические параметры

Вес, г1
Channel TypeN
Package TypePG-TO263-7
КорпусTO-263
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation250Вт
СтруктураN-Channel
Особенности-
Maximum Drain Source Voltage100 V
Drain Source On State Resistance0.0021Ом
Maximum Continuous Drain Current227 A
Линейка ПродукцииStronglRFET Series
Количество Выводов7вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока227А
Пороговое Напряжение Vgs3.8В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds100В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-263
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А227
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация