N-Channel MOSFET TransIstor, 209 A, 80 V PG-TO263-7 InfIneon IPF023N08NF2SATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8063895914
- Артикул
- IPF023N08NF2SATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 20 ns
- Rise Time:
- 59 ns
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 485,94 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы StrongIRFET™ 2 Мощные МОП-транзисторы Infineon Technologies StrongIRFET™ 2 - это N-канальные МОП-транзисторы нормального уровня, прошедшие 100%-ное лавинное тестирование. МОП-транзисторы Infineon StrongIRFET 2 оптимизированы для широкого спектра применений. МОП-транзисторы имеют диапазон напряжений от 80 до 100 В и RDS2 (вкл.) от 2,4 до 8,2Мом.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 20 ns |
| Rise Time: | 59 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | PG-TO263-7 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO263-7 |
| Part # Aliases: | IPF023N08NF2S SP005578892 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 89 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 214 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 19 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 42 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 209 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 94 S |
| Maximum Continuous Drain Current | 209 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.3 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 800 |