IPF Type N-Channel Power Transistor, 250 A, 135 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IPF021N13NM6ATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050811844
- Артикул
- IPF021N13NM6ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand
- Infineon
- Series
- IPF
- Pin Count
- 7
- Mount Type
- Surface
Цена по запросу
(от 1 902,63 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой транзистор Infineon OptiMOS 6, 120 В - это N-канальный МОП-транзистор нормального уровня, разработанный для применения в системаx с высокой эффективностью питания. Он обладает очень низким сопротивлением включению (RDS(on)), что снижает потери проводимости и повышает общую эффективность. Благодаря превосxодному устройству gate charge x RDS (on) (FOM) оно обеспечивает превосxодную производительность переключения. Устройство также имеет очень низкий уровень заряда с обратным восстановлением (Qrr), что обеспечивает эффективную работу.
Технические параметры
| Brand | Infineon |
| Series | IPF |
| Pin Count | 7 |
| Mount Type | Surface |
| Вес, г | 1 |
| Package Type | PG-TO263-7 |
| Product Type | Power Transistor |
| Forward Voltage Vf | 1V |
| Структура | Type N |
| Automotive Standard | No |
| Standards/Approvals | IEC61249-2-21, MSL1 J-STD-020, RoHS |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Maximum Power Dissipation Pd | 395W |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 160nC |
| Maximum Operating Temperature | 175°C |
| Minimum Operating Temperature | -55°C |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 135V |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 250A |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.1mΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 135 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 250 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |