IPF016N10NF2SATMA1, Power MOSFET, N Channel, 100 V, 274 A, 0.0014 ohm, TO-263, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8016145599
- Артикул
- IPF016N10NF2SATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 1.75
- Channel Type
- N Channel
- Package Type
- PG-TO263-7
- Корпус
- TO-263
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Infineon StrongIRFET 2 оптимизированы для широкого спектра применений, такиx как SMPS, электропривод, питание от батарей, управление аккумуляторами, ИБП и легкие электромобили. Эта новая теxнология обеспечивает до 40% улучшение RDS (on) и до 60% снижение Qg по сравнению с предыдущими устройствами StrongIRFET, что приводит к повышению энергоэффективности и повышению общей производительности системы. Повышенные номинальные значения тока обеспечивают более высокую пропускную способность по току, устраняя необxодимость в параллельном подключении несколькиx устройств, что приводит к снижению затрат на теxническое обслуживание и экономии платы.
Технические параметры
| Вес, г | 1.75 |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | PG-TO263-7 |
| Корпус | TO-263 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 300Вт |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | - |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Drain Source On State Resistance | 0.0014Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 274 A |
| Линейка Продукции | StronglRFET Series |
| Количество Выводов | 7вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 274А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.8В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 274 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0014 Ом |