Моя заявка (0)

IPF012N06NF2SATMA1,Power MOSFET, N Channel, 60 V, 282 A, 0.0011 ohm, TO-263, Surface Mount

IPF012N06NF2SATMA1,Power MOSFET, N Channel, 60 V, 282 A, 0.0011 ohm, TO-263, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046391073
Артикул
IPF012N06NF2SATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Pin Count
7
Вес, г
0.001
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Цена по запросу
(от 694 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный силовой транзистор Infineon оптимизирован для широкого спектра применений и прошел 100-процентное лавинное тестирование.

Технические параметры

Pin Count7
Вес, г0.001
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypePG-TO263-7
КорпусTO-263
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSiC
Особенности-
Number of Elements per Chip2
Maximum Drain Source Voltage60 A
Maximum Continuous Drain Current282 A
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А282
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0011 Ом

Техническая документация