Моя заявка (0)

Dual SiC N-Channel MOSFET, 293 A, 60 V, 7-Pin PG-TO263-7 IPF010N06NF2SATMA1

Dual SiC N-Channel MOSFET, 293 A, 60 V, 7-Pin PG-TO263-7 IPF010N06NF2SATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8030980873
Артикул
IPF010N06NF2SATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Pin Count
7
Вес, г
1
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Цена по запросу
(от 1 034,77 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный силовой транзистор Infineon оптимизирован для широкого спектра применений и прошел 100-процентное лавинное тестирование.

Технические параметры

Pin Count7
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypePG-TO263-7
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSiC
Особенностиполевая сборка
Number of Elements per Chip2
Maximum Drain Source Voltage60 V
Maximum Continuous Drain Current293 A
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А293
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация