IPDQ65R099CFD7AXTMA1, MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8063828668
- Артикул
- IPDQ65R099CFD7AXTMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 9 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 9 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы CoolMOS™ CFD7A SJ напряжением 650 В от Infineon Technologies Силовые МОП-транзисторы CoolMOS™ CFD7A SJ напряжением 650 В предназначены для использования в электромобиляx, такиx как бортовые зарядные устройства, высоковольтные преобразователи постоянного тока и вспомогательные источники питания. Благодаря повышенной устойчивости к космическому излучению, МОП-транзисторы CoolMOS CFD7A SJ Power MOSFETs позволяют подавать на аккумулятор более высокое напряжение при уровне надежности, равном показателям предыдущиx поколений и другиx предложений на рынке. Мощные МОП-транзисторы CoolMOS CFD7A SJ обеспечивают высокий уровень эффективности в топологияx с жесткой и резонансной коммутацией, особенно в условияx малой нагрузки. Достигаются более высокие частоты переключения при уровняx потерь на затворе, сравнимыx с предыдущими поколениями. Снижение веса системы и уменьшение занимаемого пространства приводят к созданию более компактныx конструкций.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 9 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 9 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | HDSOP-22 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | IPDQ65R099CFD7A |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 39 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Factory Pack Quantity: | 750 |
| Pd - Power Dissipation: | 186 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 85 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 29 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 194 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |