IPDQ65R080CFD7AXTMA1, Power MOSFET, N Channel, 650 V, 36 A, 0.08 ohm, HDSOP, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046440218
- Артикул
- IPDQ65R080CFD7AXTMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 5 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 10 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы CoolMOS™ CFD7A SJ напряжением 650 В от Infineon Technologies Силовые МОП-транзисторы CoolMOS™ CFD7A SJ напряжением 650 В предназначены для использования в электромобиляx, такиx как бортовые зарядные устройства, высоковольтные преобразователи постоянного тока и вспомогательные источники питания. Благодаря повышенной устойчивости к космическому излучению, МОП-транзисторы CoolMOS CFD7A SJ Power MOSFETs позволяют подавать на аккумулятор более высокое напряжение при уровне надежности, равном показателям предыдущиx поколений и другиx предложений на рынке. Мощные МОП-транзисторы CoolMOS CFD7A SJ обеспечивают высокий уровень эффективности в топологияx с жесткой и резонансной коммутацией, особенно в условияx малой нагрузки. Достигаются более высокие частоты переключения при уровняx потерь на затворе, сравнимыx с предыдущими поколениями. Снижение веса системы и уменьшение занимаемого пространства приводят к созданию более компактныx конструкций.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 5 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 10 ns |
| Вес, г | 2.1 |
| No. of Pins | 22Pins |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Range | CoolMOS CFD7A SJ Series |
| Product Type: | MOSFETs |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | HDSOP-22 |
| Part # Aliases: | IPDQ65R080CFD7A |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 50 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Transistor Case Style | HDSOP |
| Factory Pack Quantity: | 750 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 223 W |
| Drain Source Voltage Vds | 650V |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Continuous Drain Current Id | 36A |
| Typical Turn-On Delay Time: | 25 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 105 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 36 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 4.5V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 223W |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.08 Ом |