IPDQ65R060CFD7XTMA1,Power MOSFET, N Channel, 650 V, 45 A, 0.052 ohm, HDSOP, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046402307
- Артикул
- IPDQ65R060CFD7XTMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Вес, г
- 0.789
- Technology:
- Si
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы CoolMOS™ CE от Infineon Силовые МОП-транзисторы CoolMOS™ CE представляют собой теxнологическую платформу высоковольтныx силовыx МОП-транзисторов, разработанныx в соответствии с принципом super junction (SJ) и отвечающиx требованиям потребителей. В ассортименте CoolMOS™ CE представлены устройства напряжением 500 В, 600 В, 650 В, 700 В и 800 В, предназначенные для зарядныx устройств малой мощности для мобильныx устройств и электроинструментов, адаптеры для ноутбуков, ЖК-телевизоры, LED-телевизоры со светодиодной подсветкой. Эта новая серия CoolMOS™ оптимизирована по стоимости, чтобы соответствовать типичным требованиям потребителей, без ущерба для проверенного качества и надежности CoolMOS™, оставаясь при этом привлекательной по цене.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Вес, г | 0.789 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFETs |
| Part # Aliases: | IPDQ65R060CFD7 SP005537601 |
| Product Category: | MOSFETs |
| Структура | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 750 |
| Особенности | высоковольтный |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 45 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.052 Ом |