Моя заявка (0)

IPDQ65R017CFD7AXTMA1, Power MOSFET, N Channel, 650 V, 136 A, 0.017 ohm, HDSOP, Surface Mount

IPDQ65R017CFD7AXTMA1, Power MOSFET, N Channel, 650 V, 136 A, 0.017 ohm, HDSOP, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046440215
Артикул
IPDQ65R017CFD7AXTMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Grade
Automotive
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±20V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Цена по запросу
(от 4 370 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный 650 В 136 А (Tc) 694 Вт (Tc) для поверxностного монтажа PG-HDSOP-22-1

Технические параметры

GradeAutomotive
FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г2.1
Mounting TypeSurface Mount
QualificationAEC-Q101
Package / Case22-PowerBSOP Module
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 3.08mA
СтруктураN-Channel
Operating Temperature-40°C ~ 150°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs17mOhm @ 61.6A, 10V
Особенностивысоковольтный
Power Dissipation (Max)694W(Tc)
Supplier Device PackagePG-HDSOP-22-1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs236 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds12338 pF @ 400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C136A(Tc)
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.017 Ом