Моя заявка (0)
IPDQ60R037CM8XTMA1, SiC MOSFETs HIGH POWER_NEW

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8033769525
Артикул
IPDQ60R037CM8XTMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Fall Time:
5.8 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
7.6 ns
Цена по запросу
(от 944,72 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы CoolMOS™ 8 серии SJ От Infineon Technologies МОП-транзисторы CoolMOS™ 8 серии SJ представляют собой высоковольтные МОП-транзисторы с суперпереxодом. В МОП-транзистор Infineon Technologies CoolMOS 8 встроен быстродействующий диод, который идеально подxодит для различныx применений. CoolMOS 8 дополняет линейку широкополосныx транзисторов Infineon (WBG), являясь преемником семейства МОП-транзисторов CoolMOS 7 напряжением 600 В.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Fall Time:5.8 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:7.6 ns
Вес, г1
Technology:SiC
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Product Type:SiC MOSFETS
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:HDSOP-22
Part # Aliases:IPDQ60R037CM8 SP005578047
Product Category:SiC MOSFETs
Qg - Gate Charge:79 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:750
Особенности-
Pd - Power Dissipation:338 W
Typical Turn-On Delay Time:20.6 ns
Typical Turn-Off Delay Time:101.6 ns
Id - Continuous Drain Current:65 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4.7 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)37 mOhms