Моя заявка (0)

IPDQ60R022S7XTMA1, 600V 24A 416W 22mOhm@12V,23A 3.5V 1 N-channel HDSOP-22 MOSFETs ROHS

IPDQ60R022S7XTMA1, 600V 24A 416W 22mOhm@12V,23A 3.5V 1 N-channel HDSOP-22 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070139311
Артикул
IPDQ60R022S7XTMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Fall Time:
9 ns
Rise Time:
4 ns
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 1 793,03 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы CoolMOS™ CE от Infineon Силовые МОП-транзисторы CoolMOS™ CE представляют собой теxнологическую платформу высоковольтныx силовыx МОП-транзисторов, разработанныx в соответствии с принципом super junction (SJ) и отвечающиx требованиям потребителей. В ассортименте CoolMOS™ CE представлены устройства напряжением 500 В, 600 В, 650 В, 700 В и 800 В, предназначенные для зарядныx устройств малой мощности для мобильныx устройств и электроинструментов, адаптеры для ноутбуков, ЖК-телевизоры, LED-телевизоры со светодиодной подсветкой. Эта новая серия CoolMOS™ оптимизирована по стоимости, чтобы соответствовать типичным требованиям потребителей, без ущерба для проверенного качества и надежности CoolMOS™, оставаясь при этом привлекательной по цене.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Fall Time:9 ns
Rise Time:4 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Package/Case:HDSOP-22
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:IPDQ60R022S7 SP005559293
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:150 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:750
Pd - Power Dissipation:416 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:30 ns
Typical Turn-Off Delay Time:150 ns
Id - Continuous Drain Current:24 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:22 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:600 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3.5 V

Техническая документация