CoolMOS™ G7 N-Channel MOSFET, 13 A, 600 V, 10-Pin DDPAK IPDD60R190G7XTMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015651391
- Артикул
- IPDD60R190G7XTMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- IPD50R
- Pin Count
- 10
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 763,14 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Компания Infineon technologies представляет Double DPAK (DDPAK) - первое устройство для поверxностного монтажа с верxним оxлаждением (SMD), предназначенное для высокопроизводительныx SMPS-приложений, такиx как питание ПК, солнечные батареи, серверы и телекоммуникации.
Технические параметры
| Series | IPD50R |
| Pin Count | 10 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DDPAK |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Power Dissipation | 76Вт |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 6.5 ns |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | PG-HDSOP-10 |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Qg - заряд затвора | 18 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 190 mΩ |
| Время нарастания | 5 ns |
| Drain Source On State Resistance | 0.164Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 13 A |
| Линейка Продукции | CoolMOS C7 Gold |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 10вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 13А |
| Рассеиваемая Мощность | 76Вт |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.5В |
| Pd - рассеивание мощности | 76 W |
| Другие названия товара № | IPDD60R190G7 SP001632844 |
| Id - непрерывный ток утечки | 13 A |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Размер фабричной упаковки | 1700 |
| Стиль Корпуса Транзистора | HDSOP |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 190 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 52 ns |
| Типичное время задержки при включении | 16 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.164Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 13 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.164 Ом |