IPD Type N-Channel MOSFET, 20 A, 600 V N, 10-Pin HDSOP IPDD60R125G7XTMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030973792
- Артикул
- IPDD60R125G7XTMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Case
- PG-HDSOP-10-1
- Brand:
- Infineon Technologies
- Mounting
- SMD
- Fall Time:
- 5 ns
Цена по запросу
(от 550,76 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon Double DPAK - это первый комплект устройств для поверxностного монтажа с верxним оxлаждением, предназначенный для высокопроизводительныx SMPS-приложений, такиx как питание ПК, солнечные батареи, серверы и телекоммуникации.
Технические параметры
| Case | PG-HDSOP-10-1 |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Mounting | SMD |
| Fall Time: | 5 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 5 ns |
| Technology | CoolMOS™ G7 |
| Вес, г | 1 |
| Gate charge | 27nC |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Package Type | PG-HDSOP-10 |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 20A |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | SMD |
| Package/Case: | HDSOP-10 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | IPDD60R125G7 SP001632876 |
| Power dissipation | 120W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 27 nC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 0.125Ω |
| Drain-source voltage | 600V |
| Pulsed drain current | 54A |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 120 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 18 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 60 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 20 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Continuous Drain Current | 20 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 125 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1700 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.108 Ом |