MOSFET IPDD60R050G7XTMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030998753
- Артикул
- IPDD60R050G7XTMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 3 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 6 ns
Цена по запросу
(от 2 000 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Infineon прост в использовании и соответствует самым высоким стандартам качества. Существует возможность увеличить экономию за счет использования в приложении топологий PFC и PWM.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 3 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 6 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | HDSOP-10 |
| Part # Aliases: | IPDD60R050G7 SP001632818 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 68 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 278 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 22 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 72 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 47 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 50 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1700 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.043 Ом |