N-Channel MOSFET, 9 A, 950 V, 3-Pin DPAK IPD95R750P7ATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018669167
- Артикул
- IPD95R750P7ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Packaging
- Tape and Reel
- Pin Count
- 3
- Automotive
- No
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 492,25 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы Infineon 950V серии CoolMOS P7 устанавливают новый стандарт в области теxнологий super junction 950 В и сочетают лучшую в своем классе производительность с ультрасовременной простотой использования, что является результатом более чем 18-летней инновационной деятельности Infineon в области теxнологии super junction.
Технические параметры
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Package | DPAK |
| Структура | N-Channel |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Особенности | высоковольтный |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 950 V |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Maximum Continuous Drain Current | 9 A |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 73000 |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 23 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 23 10V |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | 20 |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 950 |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 3.5 |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 9 |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 712 400V |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 750 10V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 950 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |