Моя заявка (0)

IPD95R750P7ATMA1,Power MOSFET, N Channel, 950 V, 9 A, 0.64 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

IPD95R750P7ATMA1,Power MOSFET, N Channel, 950 V, 9 A, 0.64 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8000571133
Артикул
IPD95R750P7ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Packaging
Tape and Reel
Pin Count
3
Automotive
No
Вес, г
0.426
Цена по запросу
(от 326 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 950V 9A 3-контактный(2+Tab) DPAK T/R

Технические параметры

PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveNo
Вес, г0.426
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeDPAK(TO-252)
КорпусTO-252
Mounting TypeSurface Mount
Supplier PackageDPAK
СтруктураN-Channel
Standard Package NameTO-252
Особенностивысоковольтный
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage950 V
Operating Temperature - (??C)-55~150
Maximum Continuous Drain Current9 A
Maximum Power Dissipation - (mW)73000
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)23
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)23 10V
Maximum Gate Source Voltage - (V)20
Maximum Drain Source Voltage - (V)950
Maximum Gate Threshold Voltage - (V)3.5
Maximum Continuous Drain Current - (A)9
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)712 400V
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)750 10V
Пороговое напряжение на затворе-
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В950
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.64 Ом

Техническая документация