Моя заявка (0)
IPD95R450P7ATMA1, MOSFET транзистор PG-TO252-3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8044404993
Артикул
IPD95R450P7ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
FET Type
N-Channel
Pin Count
3
Vgs (Max)
±20V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Цена по запросу
(от 166,81 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

IPD95R450P7, SP001792318

Технические параметры

FET TypeN-Channel
Pin Count3
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г0.55
Channel TypeN Channel
Package TypeDPAK(TO-252)
Корпусto252
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-252-3, DPAK(2 Leads+Tab), SC-63
Power Dissipation104Вт
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 360µA
СтруктураMOSFET
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs450mOhm @ 7.2A, 10V
Особенности-
Power Dissipation (Max)104W(Tc)
Supplier Device PackagePG-TO252-3
Number of Elements per Chip1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs35 nC @ 10 V
Maximum Drain Source Voltage950 V
Drain to Source Voltage (Vdss)950 V
Maximum Gate Threshold Voltage3.5V
Maximum Drain Source Resistance450 mO
Drain Source On State Resistance0.38Ом
Maximum Continuous Drain Current14 A
Линейка ПродукцииCoolMOS P7
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1053 pF @ 400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C14A(Tc)
Непрерывный Ток Стока14А
Рассеиваемая Мощность104Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs3В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds950В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-252(DPAK)
Пороговое напряжение на затворе2.2V@93uA
Максимальная Рабочая Температура150°C
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.38Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация