Моя заявка (0)

IPD Type P-Channel MOSFET, -90 A, -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90P04P4L04ATMA2

IPD Type P-Channel MOSFET, -90 A, -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90P04P4L04ATMA2

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8033488741
Артикул
IPD90P04P4L04ATMA2
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Type
P Channel
Brand:
Infineon Technologies
Packaging:
Reel, Cut Tape
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 577,47 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовой транзистор Infineon OptiMOS-P2 отличается наименьшими потерями мощности при переключении и проводимости, высочайшим тепловым КПД и прочными корпусами с превосxодным качеством и надежностью.

Технические параметры

TypeP Channel
Brand:Infineon Technologies
Packaging:Reel, Cut Tape
Вес, г1
Technology:Si
Channel TypeP
Package TypePG-TO252-3-313
Subcategory:MOSFETs
Корпусto252
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-252-3
Part # Aliases:IPD90P04P4L-04 SP002325782
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:135 nC
СтруктураP-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Operating Temperature-55℃~+175℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd)125W
Особенности-
Pd - Power Dissipation:125 W
Total Gate Charge (Qg@Vgs)176nC@10V
Vgs - Gate-Source Voltage:-16 V, +5 V
Input Capacitance (Ciss@Vds)11.57nF@25V
Maximum Drain Source Voltage40 V
Continuous Drain Current (Id)90A
Id - Continuous Drain Current:90 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Continuous Drain Current90 A
Rds On - Drain-Source Resistance:4.3 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.7 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500
Пороговое напряжение на затворе2.2V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А90
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В+5/-16В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)4.3mΩ@90A, 10V

Техническая документация