IPD Type P-Channel MOSFET, -90 A, -40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90P04P4L04ATMA2

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8033488741
- Артикул
- IPD90P04P4L04ATMA2
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Type
- P Channel
- Brand:
- Infineon Technologies
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 577,47 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой транзистор Infineon OptiMOS-P2 отличается наименьшими потерями мощности при переключении и проводимости, высочайшим тепловым КПД и прочными корпусами с превосxодным качеством и надежностью.
Технические параметры
| Type | P Channel |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | P |
| Package Type | PG-TO252-3-313 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | to252 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Part # Aliases: | IPD90P04P4L-04 SP002325782 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 135 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 125W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 125 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 176nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -16 V, +5 V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 11.57nF@25V |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 90A |
| Id - Continuous Drain Current: | 90 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Continuous Drain Current | 90 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.3 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.7 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.2V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 90 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | +5/-16В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4.3mΩ@90A, 10V |