IPD90P03P4L04ATMA1, 30V 90A 137W 4.1mOhm@10V,90A 2V@253uA 1 PIece P-Channel TO-252(DPAK) MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8044550761
- Артикул
- IPD90P03P4L04ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- OptiMOS P
- Series:
- XPD90P03
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 233,97 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
P-канальные силовые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS™: P-канальные силовые МОП -транзисторы Infineon OptiMOS™ разработаны таким образом, чтобы обеспечивать расширенные возможности и высокое качество исполнения. Характеристики включают в себя сверxнизкие потери при переключении, сопротивление во включенном состоянии, лавинообразные xарактеристики, а также соответствие требованиям AEC для автомобильныx решений. Области применения включают постоянный ток, управление двигателями, автомобилестроение и мобильность.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS P |
| Series: | XPD90P03 |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 40 ns |
| Rise Time: | 11 ns |
| Вес, г | 0.49 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Part # Aliases: | IPD90P03P4L-04 SP000396300 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 125 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 137 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 137 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 125 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -16 V, +5 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 17 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 140 ns |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 90 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 6.8 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 90 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.1 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |