Моя заявка (0)

OptiMOS™ -T2 Silicon P-Channel MOSFET, 90 A, 30 V, 3-Pin DPAK IPD90P03P404ATMA2

OptiMOS™ -T2 Silicon P-Channel MOSFET, 90 A, 30 V, 3-Pin DPAK IPD90P03P404ATMA2

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017552782
Артикул
IPD90P03P404ATMA2
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
IPD
Pin Count
3
Вес, г
1
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 430,08 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный МОП-транзистор нормального уровня мощности Infineon используется в автомобилестроении. Он обладает наименьшими потерями мощности при переключении и проводимости при высочайшей тепловой эффективности.

Технические параметры

SeriesIPD
Pin Count3
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
Package TypeDPAK(TO-252)
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation137Вт
СтруктураP-Channel
Transistor MaterialSilicon
Особенности-
КвалификацияAEC-Q101
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage30 V
Maximum Gate Threshold Voltage4.0V
Maximum Drain Source Resistance0.0045 Ω
Drain Source On State Resistance0.0036Ом
Maximum Continuous Drain Current90 A
Линейка ПродукцииOptiMOS-P2
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока90А
Рассеиваемая Мощность137Вт
Полярность ТранзистораP Канал
Пороговое Напряжение Vgs3В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds30В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-252(DPAK)
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0036Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А90
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В+5/-16В

Техническая документация