IPD90N10S4L06ATMA1, 100V 90A 136W 6.6mOhm@90A,10V null PG-TO252-3-313 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070070132
- Артикул
- IPD90N10S4L06ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- OptiMOS™-T2
- Series:
- IPD90N10
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 232,49 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные N-канальные МОП-транзисторы напряжением от 75 В до 100 В Автомобильные N-канальные МОП-транзисторы Infineon Technologies напряжением от 75 В до 100 В соответствуют стандарту AEC-Q101 для применения в автомобилестроении и доступны в широком диапазоне типов корпусов, включая D-PAK, TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8) и SSO8 (TDSON-8). Эти МОП-транзисторы идеально подxодят для систем впрыска топлива, беспроводной зарядки в автомобиле и подсистемы питания C02 напряжением 48 В, снижающей выбросы вредныx веществ, известной как Board Net.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS™-T2 |
| Series: | IPD90N10 |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 40 ns |
| Rise Time: | 6 ns |
| Вес, г | 0.59 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Part # Aliases: | IPD90N10S4L-06 SP000866562 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 98 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 136 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -16 V, +16 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 42 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 90 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.1V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0066 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 90 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 5.8 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |