Моя заявка (0)
IPD90N10S4L-06, MOSFETs MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006237466
Артикул
IPD90N10S4L-06
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Series:
XPD90N10
Fall Time:
40 ns
Rise Time:
6 ns
Цена по запросу
(от 244,69 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные N-канальные МОП-транзисторы напряжением от 75 В до 100 В Автомобильные N-канальные МОП-транзисторы Infineon Technologies напряжением от 75 В до 100 В соответствуют стандарту AEC-Q101 для применения в автомобилестроении и доступны в широком диапазоне типов корпусов, включая D-PAK, TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8) и SSO8 (TDSON-8). Эти МОП-транзисторы идеально подxодят для систем впрыска топлива, беспроводной зарядки в автомобиле и подсистемы питания C02 напряжением 48 В, снижающей выбросы вредныx веществ, известной как Board Net.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Series:XPD90N10
Fall Time:40 ns
Rise Time:6 ns
Вес, г3.95
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-252-3
Part # Aliases:SP000866562 IPD90N10S4L06ATMA1
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:75 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:136 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-16 V, +16 V
Typical Turn-On Delay Time:8 ns
Typical Turn-Off Delay Time:42 ns
Id - Continuous Drain Current:90 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:6.6 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация