CoolMOS™ Silicon N-Channel MOSFET, 90 A, 80 V, 3-Pin DPAK IPD90N08S405ATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8016466444
- Артикул
- IPD90N08S405ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- CoolMOS
- Pin Count
- 3
- Fall Time:
- 23 ns
Цена по запросу
(от 546,49 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Конструкция MOSFET-транзисторов Infineon, также известныx как MOSFET-транзисторы, расшифровывается как "Металлооксидные полупроводниковые полевые транзисторы’.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 23 ns |
| Rise Time: | 7 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-252 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Part # Aliases: | IPD90N08S4-05 SP000984282 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 144Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 68 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 144 W |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 12 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 20 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 90 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0053 Ω |
| Drain Source On State Resistance | 0.0045Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 90 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.5 mOhms |
| Линейка Продукции | OptiMOS-T2 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Непрерывный Ток Стока | 90А |
| Рассеиваемая Мощность | 144Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 80В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0045Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 90 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |