Моя заявка (0)

IPD90N06S4L06ATMA2, Power MOSFET, N Channel, 60 V, 90 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

IPD90N06S4L06ATMA2, Power MOSFET, N Channel, 60 V, 90 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8008814117
Артикул
IPD90N06S4L06ATMA2
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Military
No
Packaging
Tape and Reel
Pin Count
3
Automotive
Yes
Цена по запросу
(от 620 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 60V 90A Автомобильный 3-контактный (2+Tab) DPAK T/R

Технические параметры

MilitaryNo
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveYes
Вес, г2
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN Channel
КорпусTO-252
ConfigurationSingle
Supplier PackageDPAK
Power Dissipation79Вт
СтруктураN-Channel
AEC Qualified NumberAEC-Q101
Standard Package NameTO-252
Особенности-
КвалификацияAEC-Q101
Number of Elements per Chip1
Operating Temperature - (??C)-55~175
Drain Source On State Resistance0.005Ом
Maximum Power Dissipation - (mW)79000
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)58
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)58@10V
Maximum Gate Source Voltage - (V)??16
Линейка ПродукцииOptiMOS-T2
Maximum Drain Source Voltage - (V)60
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Maximum Gate Threshold Voltage - (V)2.2
Maximum Continuous Drain Current - (A)90
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)4370@25V
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)6.3@10V
Непрерывный Ток Стока90А
Пороговое Напряжение Vgs1.7В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds60В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-252(DPAK)
Пороговое напряжение на затворе-
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.005 Ом

Техническая документация