IPD90N06S4L03ATMA2, 60V 90A 150W 3.5mOhm@90A,10V 2.2V@90uA N Channel 13000pF@25V 170nC@10V -55°C~+175°C@(Tj) TO-252-3-11 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070061647
- Артикул
- IPD90N06S4L03ATMA2
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Tab
- Tab
- PPAP
- Unknown
- Series
- OptiMOS™-T2
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
Цена по запросу
(от 178 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH 60V 90A Автомобильный 3-контактный (2+Tab) DPAK T/R
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | Unknown |
| Series | OptiMOS™-T2 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | Yes |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.41 |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | DPAK |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Power Dissipation | 150Вт |
| Process Technology | OptiMOS-T2 |
| Transistor Material | Si |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Typical Fall Time (ns) | 20 |
| Typical Rise Time (ns) | 6 |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.2V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 150000 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 170 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 170@10V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0035 Ω |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±16 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 21 |
| Drain Source On State Resistance | 0.0027Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 90 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 140 |
| Линейка Продукции | OptiMOS T2 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2.2 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 90 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 10000@25V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 3.5@10V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Непрерывный Ток Стока | 90А |
| Рассеиваемая Мощность | 150Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.7В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0027Ом |