IPD90N06S407ATMA2, Транзистор полевой N-канальный 60В 90A DPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8061919052
- Артикул
- IPD90N06S407ATMA2
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- OptiMOS
- Series:
- IPD90N06
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 120 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon предлагает широкий ассортимент N-канальныx автомобильныx МОП-транзисторов мощностью 55 В-60 В, использующиx новую теxнологию OptiMOS, в различныx комплектацияx и с диапазоном RDS(on) от 1.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS |
| Series: | IPD90N06 |
| Pin Count | 3 |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Вес, г | 0.8 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-252 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Part # Aliases: | IPD90N06S4-07 SP001028680 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 56 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 79 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 90 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 20V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0069 O |
| Maximum Continuous Drain Current | 90 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 6.9 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |