N-Channel MOSFET, 90 A, 60 V, 3-Pin DPAK IPD90N06S405ATMA2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8033014286
- Артикул
- IPD90N06S405ATMA2
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 34
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 150 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon OptiMOS - это силовой МОП-транзистор для автомобильной промышленности. Рабочий канал - N. Он соответствует стандарту AEC Q101.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 34 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | IPD90N06S4-05 SP001028730 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 81 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 107 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 90 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Continuous Drain Current | 90 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 5.1 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 90 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 107 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |