CoolMOS™ Silicon N-Channel MOSFET, 90 A, 60 V, 3-Pin DPAK IPD90N06S404ATMA2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8016042743
- Артикул
- IPD90N06S404ATMA2
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Tab
- Tab
- PPAP
- Unknown
- Series
- CoolMOS
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
Цена по запросу
(от 287,07 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Конструкция MOSFET-транзисторов Infineon, также известныx как MOSFET-транзисторы, расшифровывается как "Металлооксидные полупроводниковые полевые транзисторы’.
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | Unknown |
| Series | CoolMOS |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | Yes |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-252 |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | DPAK |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Power Dissipation | 150Вт |
| Process Technology | OptiMOS-T2 |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Typical Fall Time (ns) | 5 |
| Typical Rise Time (ns) | 70 |
| Особенности | высоковольтный |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 150000 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 99 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 99 10V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0038 Ω |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 30 |
| Drain Source On State Resistance | 0.0032Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 90 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 40 |
| Линейка Продукции | OptiMOS-T2 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 90 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 7980 25V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 3.8 10V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Непрерывный Ток Стока | 90А |
| Рассеиваемая Мощность | 150Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0032Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 90 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 150 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |