OptiMOS™ -T2 Silicon N-Channel MOSFET, 90 A, 40 V, 3-Pin DPAK IPD90N04S4L04ATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014571930
- Артикул
- IPD90N04S4L04ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- IPD
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 106,71 ₽)
Минимальный заказ: 15 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный МОП-транзистор нормального уровня мощности Infineon используется в автомобилестроении. Он обладает наименьшими потерями мощности при переключении и проводимости при высочайшей тепловой эффективности.
Технические параметры
| Series | IPD |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0038 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 90 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 90 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |