Моя заявка (0)

IPD90N04S403ATMA1, Power MOSFET, N Channel, 40 V, 90 A, 0.0027 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

IPD90N04S403ATMA1, Power MOSFET, N Channel, 40 V, 90 A, 0.0027 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8292731900
Артикул
IPD90N04S403ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
OptiMOS-T2
Pin Count
3
Вес, г
0.3
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 228 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

IPD90N04S4-03, SP000671630

Технические параметры

SeriesOptiMOS-T2
Pin Count3
Вес, г0.3
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN Channel
Package TypeTO-252
КорпусTO-252
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation94Вт
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
Особенности-
КвалификацияAEC-Q101
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage40 V
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Maximum Drain Source Resistance0.0032 O
Drain Source On State Resistance0.0027Ом
Maximum Continuous Drain Current90 A
Линейка ПродукцииOptiMOS-T2
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока90А
Рассеиваемая Мощность94Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs3В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds40В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-252(DPAK)
Пороговое напряжение на затворе-
Максимальная Рабочая Температура175 C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0027Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А403
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0027 Ом

Техническая документация