IPD90N04S4-04, 40V 90A 4.1mOhm@10V,90A 71W N Channel TO-252-3 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025235181
- Артикул
- IPD90N04S4-04
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Case
- PG-TO252-3-313
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series:
- OptiMOS-T2
- Mounting
- SMD
Цена по запросу
(от 118,08 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы с N-каналом от 20 В до 40 В Автомобильные N-канальные МОП-транзисторы Infineon Technologies напряжением от 20 до 40 В соответствуют стандарту AEC-Q101 и предназначены для применения в автомобилестроении. Они доступны в широком ассортименте комплектаций, включая D-PAK, TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8) и SSO8 (TDSON-8). Эти МОП-транзисторы предназначены для широкого спектра применений, включая управление электродвигателями EPS, 3-фазными двигателями и двигателями с Н-образным мостом, управление вентиляторами ОВКВ и электрическими насосами в сочетании с ШИМ-управлением.
Технические параметры
| Case | PG-TO252-3-313 |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series: | OptiMOS-T2 |
| Mounting | SMD |
| Fall Time: | 11 ns |
| Rise Time: | 11 ns |
| Technology | OptiMOS™ T2 |
| Tradename: | OptiMOS |
| Вес, г | 1.4 |
| Gate charge | 20nC |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-252 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 81A |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Part # Aliases: | SP000646186 IPD9N4S44XT IPD90N04S404ATMA1 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power dissipation | 71W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 33 nC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 4.1mΩ |
| Drain-source voltage | 40V |
| Pulsed drain current | 360A |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 71 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 9 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 90 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.1 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 90 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 71 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4.1мОм |