IPD90N04S4-03, TO-252-3 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025234500
- Артикул
- IPD90N04S4-03
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 15 ns
- Rise Time:
- 11 ns
- Вес, г
- 0.49
Цена по запросу
(от 67,24 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы с N-каналом от 20 В до 40 В Infineon Technologies Автомобильные МОП-транзисторы с N-каналом от 20 В до 40 В соответствуют стандарту AEC-Q101 для применения в автомобилестроении и доступны в широком диапазоне типов корпусов, включая D-PAK, TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8) и SSO8 (TDSON-8). Эти МОП-транзисторы предназначены для широкого спектра применений, включая управление электродвигателями EPS, 3-фазными двигателями и двигателями с Н-образным мостом, управление вентиляторами ОВКВ и электрическими насосами в сочетании с ШИМ-управлением.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 15 ns |
| Rise Time: | 11 ns |
| Вес, г | 0.49 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-252 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SP000671630 IPD9N4S43XT IPD90N04S403ATMA1 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 66 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 94 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 14 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 14 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 90 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.7 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.13 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |