Моя заявка (0)

IPD90N04S304, Транзистор N-MOSFET, OptiMOS™ T, полевой, 40В, 90А, 136Вт

IPD90N04S304, Транзистор N-MOSFET, OptiMOS™ T, полевой, 40В, 90А, 136Вт

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070689955
Артикул
IPD90N04S304
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Fall Time:
10 ns
Rise Time:
13 ns
Вес, г
1.4
Цена по запросу
(от 264,14 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные МОП-транзисторы с N-каналом от 20 В до 40 В Infineon Technologies Автомобильные МОП-транзисторы с N-каналом от 20 В до 40 В соответствуют стандарту AEC-Q101 для применения в автомобилестроении и доступны в широком диапазоне типов корпусов, включая D-PAK, TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8) и SSO8 (TDSON-8). Эти МОП-транзисторы предназначены для широкого спектра применений, включая управление электродвигателями EPS, 3-фазными двигателями и двигателями с Н-образным мостом, управление вентиляторами ОВКВ и электрическими насосами в сочетании с ШИМ-управлением.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Fall Time:10 ns
Rise Time:13 ns
Вес, г1.4
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Package/Case:DPAK-3(TO-252-3)
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:IPD9N4S34XT SP000261222 IPD90N04S304ATMA1
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:60 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:2500
Pd - Power Dissipation:136 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:20 ns
Typical Turn-Off Delay Time:30 ns
Id - Continuous Drain Current:90 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:3.8 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V

Техническая документация