Моя заявка (0)
N-Channel MOSFET, 90 A, 30 V, 3-Pin DPAK IPD90N03S4L03ATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8033014285
Артикул
IPD90N03S4L03ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Tab
Tab
PPAP
Unknown
SVHC
Yes
EU RoHS
Compliant with Exemption
Цена по запросу
(от 457,82 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Infineon OptiMOS - это силовой МОП-транзистор для автомобильной промышленности. Рабочий канал - N. Он соответствует стандарту AEC Q101.

Технические параметры

TabTab
PPAPUnknown
SVHCYes
EU RoHSCompliant with Exemption
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveYes
Вес, г1
PCB changed2
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeDPAK(TO-252)
ConfigurationSingle
Mounting TypeSurface Mount
Package Width6.22
Package Length6.5
EDA / CAD ModelsIPD90N03S4L03ATMA1 by Ultra Librarian
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageDPAK
Process TechnologyOptiMOS
СтруктураN-Channel
Standard Package NameTO-252
SVHC Exceeds ThresholdYes
Typical Fall Time (ns)7
Typical Rise Time (ns)6
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage30 V
Maximum Power Dissipation (mW)94000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)60
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)60@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±16
Typical Turn-On Delay Time (ns)9
Maximum Continuous Drain Current90 A
Maximum Drain Source Voltage (V)30
Typical Turn-Off Delay Time (ns)37
Maximum Gate Threshold Voltage (V)2.2
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)90
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)4000@25V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)3.3@10V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А90
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация