IPD85P04P4L06ATMA2, MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004723281
- Артикул
- IPD85P04P4L06ATMA2
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- IPD
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.33
Цена по запросу
(от 171,51 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой МОП-транзистор Infineon n-канального логического уровня, используемый в автомобилестроении. Он обладает наименьшими потерями мощности при переключении и проводимости при высочайшей тепловой эффективности.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | IPD |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.33 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Part # Aliases: | IPD85P04P4L-06 SP002325778 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 80 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 88 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -16 V, +5 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 85 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.2V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0064 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 85 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 7.7 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.7 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 88 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |