IPD80R900P7ATMA1, MOSFET транзистор PG-TO252-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070103731
- Артикул
- IPD80R900P7ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- 800V CoolMOS™ P7
- FET Type
- N-Channel
- Packaging
- Cut Tape(CT)
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 139,53 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Серия МОП-транзисторов Infineon 800V Cool MOS™ P7 super junction идеально подxодит для маломощныx SMPS-устройств, полностью удовлетворяя потребности рынка в производительности, простоте использования и соотношении цена/качество.
Технические параметры
| Series | 800V CoolMOS™ P7 |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.46 |
| FET Feature | - |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 110ВµA |
| Transistor Material | Si |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 2.2A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 45W(Tc) |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.9 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 6 A |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 500V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 6A(Tc) |