IPD80R600P7, 800V 8A 60W 600mOhm@10V,3.4A 3.5V@170uA N Channel TO-252-3 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017632049
- Артикул
- IPD80R600P7
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Type
- 1PCSNChannel
- Series
- CoolMOS P7
- Mounting
- Surface Mount
- Polarity
- N
Цена по запросу
(от 257,83 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Серия МОП-транзисторов Infineon 800V CoolMOS P7 superjunction идеально подxодит для SMPS-приложений с низким энергопотреблением, поскольку полностью удовлетворяет потребности рынка в производительности, простоте использования и соотношении цена/качество.
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Series | CoolMOS P7 |
| Mounting | Surface Mount |
| Polarity | N |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.47 |
| Серия | CoolMOS P7 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-252 |
| Rad Hardened | No |
| Корпус | TO-252 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Power Dissipation | 60(W) |
| Number of Elements | 1 |
| Структура | N-Channel |
| Drain-Source On-Volt | 800(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 10 ns |
| Power Dissipation (Pd) | 60W |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Continuous Drain Current | 8(A) |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Gate-Source Voltage (Max) | 20(V) |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 20nC@10V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | DPAK-3 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 570pF@500V |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 8A |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Qg - заряд затвора | 20 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.6 Ω |
| Время нарастания | 8 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 8 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 60 W |
| Другие названия товара № | IPD80R600P7 SP001644246 |
| Id - непрерывный ток утечки | 8 A |
| Коммерческое обозначение | CoolMOS |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 510 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3.5V@170uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 40 ns |
| Типичное время задержки при включении | 8 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 60 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 600mΩ@3.4A, 10V |