MOSFET + Diode, 1.5 A PG-TO252-3 IPD80R4K5P7ATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030977031
- Артикул
- IPD80R4K5P7ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Type
- 1PCSNChannel
- Brand:
- Infineon Technologies
- Military
- No
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 240 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon CoolMOS P7 - это революционная теxнология для высоковольтныx силовыx МОП-транзисторов, разработанная в соответствии с принципом super junction (SJ) и впервые примененная.
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Military | No |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Fall Time: | 80 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 15 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PG-TO252-3 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | to252 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | IPD80R4K5P7 SP001422632 |
| Supplier Package | TO-252 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 4 nC |
| Process Technology | CoolMOS P7 |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Power Dissipation (Pd) | 13W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 13 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 4nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 80pF@500V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 60 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 1.5A |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -50 C |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.5 A |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 13000 |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 4 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 4@10V |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | 20 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.5 Ohms |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 800 |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 3.5 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 1.5 |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 80@500V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 4500@10V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3.5V@200uA |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 13 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4.5Ω@400mA, 10V |