IPD80R3K3P7ATMA1,Power MOSFET, N Channel, 800 V, 1.9 A, 2.8 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8547919733
- Артикул
- IPD80R3K3P7ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- CoolMOS P7
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.426
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 128 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Новейшие устройства Infineon серии 800V CoolMOS P7 устанавливают новый стандарт в области теxнологий super junction 800 В и сочетают лучшую в своем классе производительность с ультрасовременной простотой использования, что является результатом более чем 18-летней инновационной деятельности Infineon в области теxнологии super junction.
Технические параметры
| Series | CoolMOS P7 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.426 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-252 |
| Корпус | TO-252 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | высоковольтный |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 3.3 O |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.9 A |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 18 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.8 Ом |