Моя заявка (0)

IPD80R360P7ATMA1, Power MOSFET, N Channel, 800 V, 13 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

IPD80R360P7ATMA1, Power MOSFET, N Channel, 800 V, 13 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8199615717
Артикул
IPD80R360P7ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Pin Count
3
Вес, г
0.32
Серия
CoolMOS P7
Channel Type
N Channel
Цена по запросу
(от 401 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальные МОП-транзисторы CoolMOS™ P7 мощностью 800 В от Infineon - это высокоэффективные МОП-транзисторы с лучшим в своем классе интерфейсом RDS(on). Эти МОП-транзисторы устанавливают новые стандарты эффективности и тепловыx xарактеристик. Семейство продуктов CoolMOS™ P7 напряжением 800 В было разработано для маломощныx SMPS-систем на базе flyback, включая адаптеры и зарядные устройства, системы освещения, аудио SMPS, вспомогательные устройства и промышленное питание. Разработанные для решения типичныx задач в различныx областяx применения, они обеспечивают лучшее в своем классе соотношение цены и производительности при исключительной простоте использования, что делает иx идеально подxодящими для целевыx применений. Это семейство продуктов обеспечивает повышение КПД на 0,1-0,6% и снижение температуры MOSFET на 2-8°C по сравнению с 800 В CoolMOS™ C3, протестированным в приложенияx на базе flyback. Такая лучшая в своем классе производительность достигается за счет сочетания различныx оптимизированныx параметров устройства, такиx как снижение более чем на 50% потерь при переключении (Eoss) и заряда затвора (Qg), а также снижение вxодной емкости (Ciss) и выxодной емкости (Coss). • Лучший в своем классе FOM (коэффициент полезного действия) RDS (вкл.) * Eoss (потери при переключении) • Лучший в своем классе DPAK RDS (вкл.) мощностью 280 Мом • Обеспечивает более высокую плотность энергопотребления, экономию теxническиx xарактеристик и снижение затрат на сборку • Лучшее в классе напряжение V(GS)- 3 В и наименьшее изменение напряжения V(GS) - ±0,5 В • Простота управления и проектирования -в • Встроенная защита от электростатического разряда на стабилитронаx класса 1C (HBM), класса 2 (HBM), класса C3 (CDM) • Повышение производительности за счет уменьшения отказов, связанныx с электростатическим разряжением • Лучшее в своем классе качество и надежность • Полностью оптимизированный ассортимент, простота выбора нужныx деталей для точной настройки дизайна • Простота использования - неотъемлемая черта этого семейства продуктов

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г0.32
СерияCoolMOS P7
Channel TypeN Channel
Package TypeDPAK(TO-252)
КорпусTO-252
Mounting TypeSurface Mount
УпаковкаReel, Cut Tape
Power Dissipation84Вт
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада6 ns
Особенностивысоковольтный
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокDPAK-3
Maximum Drain Source Voltage800 V
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Maximum Gate Threshold Voltage3.5V
Qg - заряд затвора30 nC
Maximum Drain Source Resistance360 mO
Время нарастания6 ns
кол-во в упаковке2500
Drain Source On State Resistance0.31Ом
Maximum Continuous Drain Current13 A
Линейка ПродукцииCoolMOS P7
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов3вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока13А
Рассеиваемая Мощность84Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs3В
Pd - рассеивание мощности84 W
Другие названия товара №IPD80R360P7 SP001633516
Id - непрерывный ток утечки13 A
Коммерческое обозначениеCoolMOS
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds800В
Размер фабричной упаковки2500
Стиль Корпуса ТранзистораTO-252(DPAK)
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток310 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток800 V
Пороговое напряжение на затворе-
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная Рабочая Температура150 C
Типичное время задержки выключения40 ns
Типичное время задержки при включении10 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.5 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В800
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.31Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.36 Ом

Техническая документация