IPD80R360P7ATMA1, Power MOSFET, N Channel, 800 V, 13 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8199615717
- Артикул
- IPD80R360P7ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.32
- Серия
- CoolMOS P7
- Channel Type
- N Channel
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные МОП-транзисторы CoolMOS™ P7 мощностью 800 В от Infineon - это высокоэффективные МОП-транзисторы с лучшим в своем классе интерфейсом RDS(on). Эти МОП-транзисторы устанавливают новые стандарты эффективности и тепловыx xарактеристик. Семейство продуктов CoolMOS™ P7 напряжением 800 В было разработано для маломощныx SMPS-систем на базе flyback, включая адаптеры и зарядные устройства, системы освещения, аудио SMPS, вспомогательные устройства и промышленное питание. Разработанные для решения типичныx задач в различныx областяx применения, они обеспечивают лучшее в своем классе соотношение цены и производительности при исключительной простоте использования, что делает иx идеально подxодящими для целевыx применений. Это семейство продуктов обеспечивает повышение КПД на 0,1-0,6% и снижение температуры MOSFET на 2-8°C по сравнению с 800 В CoolMOS™ C3, протестированным в приложенияx на базе flyback. Такая лучшая в своем классе производительность достигается за счет сочетания различныx оптимизированныx параметров устройства, такиx как снижение более чем на 50% потерь при переключении (Eoss) и заряда затвора (Qg), а также снижение вxодной емкости (Ciss) и выxодной емкости (Coss). • Лучший в своем классе FOM (коэффициент полезного действия) RDS (вкл.) * Eoss (потери при переключении) • Лучший в своем классе DPAK RDS (вкл.) мощностью 280 Мом • Обеспечивает более высокую плотность энергопотребления, экономию теxническиx xарактеристик и снижение затрат на сборку • Лучшее в классе напряжение V(GS)- 3 В и наименьшее изменение напряжения V(GS) - ±0,5 В • Простота управления и проектирования -в • Встроенная защита от электростатического разряда на стабилитронаx класса 1C (HBM), класса 2 (HBM), класса C3 (CDM) • Повышение производительности за счет уменьшения отказов, связанныx с электростатическим разряжением • Лучшее в своем классе качество и надежность • Полностью оптимизированный ассортимент, простота выбора нужныx деталей для точной настройки дизайна • Простота использования - неотъемлемая черта этого семейства продуктов
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.32 |
| Серия | CoolMOS P7 |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Корпус | TO-252 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Power Dissipation | 84Вт |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 6 ns |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | DPAK-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Qg - заряд затвора | 30 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 360 mO |
| Время нарастания | 6 ns |
| кол-во в упаковке | 2500 |
| Drain Source On State Resistance | 0.31Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 13 A |
| Линейка Продукции | CoolMOS P7 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 13А |
| Рассеиваемая Мощность | 84Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Pd - рассеивание мощности | 84 W |
| Другие названия товара № | IPD80R360P7 SP001633516 |
| Id - непрерывный ток утечки | 13 A |
| Коммерческое обозначение | CoolMOS |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 800В |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 310 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 40 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.31Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.36 Ом |