CoolMOS™ Silicon N-Channel MOSFET, 1.9 A, 80 V, 3-Pin DPAK IPD80R2K8CEATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014564512
- Артикул
- IPD80R2K8CEATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- CoolMOS
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 219,89 ₽)
Минимальный заказ: 15 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Конструкция MOSFET-транзисторов Infineon, также известныx как MOSFET-транзисторы, расшифровывается как "Металлооксидные полупроводниковые полевые транзисторы’.
Технические параметры
| Series | CoolMOS |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-252 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Особенности | высоковольтный |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.9V |
| Maximum Drain Source Resistance | 2.8 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.9 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.9 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 42 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |