IPD80R2K0P7ATMA1, IPD80R2K0P7ATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048170721
- Артикул
- IPD80R2K0P7ATMA1
- Бренд
- International Rectifier
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 98 ₽)
Минимальный заказ: 877 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH 800V 3A 3-контактный (2+Tab) DPAK T/R
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 0.4 |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Package Width | 6.22(Max) |
| Package Length | 6.73(Max) |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | DPAK |
| Standard Package Name | TO-252 |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Typical Fall Time (ns) | 20 |
| Typical Rise Time (ns) | 8 |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 24000 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 9 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 9@10V |
| Maximum Gate-Source Voltage (V) | 20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 10 |
| Maximum Drain-Source Voltage (V) | 800 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 40 |
| Typical Gate to Drain Charge (nC) | 4 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 3.5 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 3 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 175@500V |
| Maximum Drain-Source Resistance (mOhm) | 2000@10V |
| Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A) | 6 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3.5V |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 24 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |