IPD80R2K0P7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 800В, 1,9А, 24Вт, PG-TO252-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8029081644
- Артикул
- IPD80R2K0P7
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Case
- PG-TO252-3
- Type
- Power MOSFET
- Mounting
- SMD
- Polarity
- N
Цена по запросу
(от 128,60 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, N-канальный, 800 В, 3 А, TO-252, Полярность транзистора: N-канальный, Постоянный ток стока Id:3 А, Напряжение источника стока Vds:800 В, Сопротивление Rds(включено): 1,7 Ом, Тестовое напряжение Rds(включено) Vgs:10 В, Пороговое напряжение Vgs:3 В, Рассеиваемая мощность, соответствующая требованиям RoHS: Да
Технические параметры
| Case | PG-TO252-3 |
| Type | Power MOSFET |
| Mounting | SMD |
| Polarity | N |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 2+Tab |
| Technology | CoolMOS™ P7 |
| Вес, г | 0.03 |
| Gate charge | 9nC |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Package Type | DPAK |
| Polarisation | unipolar |
| Rad Hardened | No |
| Корпус | to252 |
| Drain current | 1.9A |
| Kind of channel | enhanced |
| Power dissipation | 24W |
| Number of Elements | 1 |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 2Ω |
| Drain-Source On-Volt | 800(V) |
| Drain-source voltage | 800V |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Особенности | - |
| Continuous Drain Current | 3(A) |
| Gate-Source Voltage (Max) | 20(V) |
| Features of semiconductor devices | ESD protected gate |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.2V@93uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.9 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 24 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |