IPD80R1K4CEATMA1, Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002180433
- Артикул
- IPD80R1K4CEATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 23 nC
- Type
- N Channel
- V(DS)
- 800 V
- P(tot)
- 63 W
Цена по запросу
(от 150 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
800 В 3,9 А 63 Вт 1.4Ohm@2.3A,10 V 3.9V@240uA N-канальные МОП-транзисторы TO-252-3 соответствуют требованиям ROHS
Технические параметры
| Q(g) | 23 nC |
| Type | N Channel |
| V(DS) | 800 V |
| P(tot) | 63 W |
| Series | CoolMOS™ CE |
| Package | DPAK |
| R(thJC) | 2 K/W |
| Mounting | SMD |
| Packaging | REEL |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | NO |
| Technology | CoolMOS CE |
| Вес, г | 1 |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Configuration | N-CH |
| Mounting Type | Surface Mount |
| RDS(on)at 10V | 1400 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 3.9 A |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 63W |
| Особенности | высоковольтный |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 23nC@10V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 570pF@100V |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 3.9A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.9V |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.4 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.9 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.9 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 63 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |