IPD80R1K0CEATMA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 800В, 5,7А, 83Вт, CoolMOS™
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8061939009
- Артикул
- IPD80R1K0CEATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 31 nC
- Type
- 1PCSNChannel
- V(DS)
- 800 V
- Width
- 6.22mm
Цена по запросу
(от 188,78 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon предлагает большой и всесторонний ассортимент устройств на МОП-транзистораx, который включает семейства CoolMOS, OptiMOS и StrongIRFET.
Технические параметры
| Q(g) | 31 nC |
| Type | 1PCSNChannel |
| V(DS) | 800 V |
| Width | 6.22mm |
| P(tot) | 83 W |
| Series | CoolMOS CE |
| Package | DPAK |
| R(thJC) | 1.5 K/W |
| Mounting | SMD |
| Packaging | REEL |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | NO |
| Technology | CoolMOS CE |
| Вес, г | 0.4 |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Configuration | N-CH |
| Mounting Type | Surface Mount |
| RDS(on)at 10V | 950 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 5.7 A |
| Transistor Material | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 83W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 83 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 31nC@10V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 785pF@100V |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 5.7A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.9V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 950 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 5.7 A |