Моя заявка (0)

IPD80P03P4L07ATMA2,Power MOSFET, P Channel, 30 V, 80 A, 0.0056 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

IPD80P03P4L07ATMA2,Power MOSFET, P Channel, 30 V, 80 A, 0.0056 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8009018727
Артикул
IPD80P03P4L07ATMA2
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
2
Channel Type
P
Package Type
PG-TO252-3-11
Корпус
TO-252
Цена по запросу
(от 251 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовой транзистор Infineon OptiMOS-P2 отличается наименьшими потерями мощности при переключении и проводимости при высочайшей тепловой эффективности.

Технические параметры

Вес, г2
Channel TypeP
Package TypePG-TO252-3-11
КорпусTO-252
Mounting TypeSMD
СтруктураP-Channel
Особенности-
Maximum Drain Source Voltage30 V
Maximum Continuous Drain Current80 A
Пороговое напряжение на затворе-
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В+5/-16В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0056 Ом

Техническая документация